华金证券:未来算力将引领下一场数字革命 有望带动先进封装市场空间扩张
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智通财经获悉,华金证券发布研究报告称,ChatGPT依赖大模型、大数据、大算力支撑,其出现标志着通用人工智能的起点及强人工智能的拐点,基于大模型针对不同行业各类生成式AI迎来新纪元,未来算力将引领下一场数字革命,GPU芯片需求持续增长,有望带动先进封装市场空间扩张。建议关注率先布局先进封装厂商或已进入先进封装技术成熟供应链材料及设备厂商。
华金证券主要观点如下:
先进封装处于晶圆制造与封测中的交叉区域。
先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤,具体包括应用晶圆研磨薄化、线路重排(RDL)、凸块制作(Bumping)及三维硅通孔(TSV)等工艺技术。先进封装更多在晶圆层面上进行,采用前道制造方式来制作后道连接电路,工艺流程的相似性使得两者使用设备也大致相同,其中倒装就要采用植球、电镀、光刻、蚀刻等前道制造的工艺,2.5D/3D封装TSV技术就需要光刻机、涂胶显影设备、湿法刻蚀设备等,从而使得晶圆制造与封测前后道制程中出现中道交叉区域。因此,先进封装对半导体产业链重塑正在向上蔓延,前、后道设备之间界限模糊,催生中道设备新赛道,为垄断程度最深设备领域,带来新变局。
先进封装偏向前道工艺,晶圆代工厂与IDM厂商具有先发优势。
根据Yole数据,2021年两家IDM企业(英特尔和三星)、一家代工厂(台积电)及全球三大OSAT企业(日月光、Amkor及长电科技)在内六家企业加工超过80%先进封装晶圆;其中,日月光继续主导市场,遥遥领先于其他竞争对手,安靠紧随其后;如果按照厂商属性划分,OSAT厂商2021年仍然占据先进封装市场主要份额(65%),IDM企业(21%)和代工厂商(14%)份额居后;根据21年与22年排名对比可知,晶圆代工厂台积电和三星在先进封装领域发展势头迅猛,英特尔一直处于第3的位置。英特尔、台积电等为晶圆厂主要代表,其在前道制造环节经验更丰富,能深入发展需要刻蚀等前道步骤TSV技术,因而在2.5D/3D封装技术方面较为领先。先进封装已成为半导体创新、增强功能、性能和成本效益的关键,而其工艺偏向于前道工艺,使得晶圆代工厂与IDM厂商在该领域具有天然先发优势。目前,索尼、力成、德州仪器(TI)、SK海力士、联电等也积极布局先进封装产能,进一步加剧先进封装市场竞争格局。
AI服务器需求加大驱动先进封装产能需求,国内OSAT不甘人后加码先进封装布局。
根据TrendForce数据,微软、Google、亚马逊或中国企业百度等CSP(云端服务供应商)陆续采购高端AI服务器,大量投入训练及强化其AI模型,将推升AI芯片及高带宽内存芯片(HBM)的需求,并驱动先进封装产能2024年将成长30~40%。国内封测龙头巩固自身优势,加码先进封装技术布局,为人工智能带来新一轮应用需求增长做好准备。
其中,长电科技XDFOI平台以2.5D无TSV为基本技术平台,并于2023年1月宣布,XDFOIChiplet高密度度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,基于利用有机重布线堆叠中介层可实现2D/2.5D/3D集成,并已实现国际客户4nm多芯片系统集成封装产品出货;通富微电与AMD合作紧密,利用次微米级硅中介层以TSV将多芯片整合于单一封装,将持续5nm、4nm、3nm新品研发,计划2023年积极开展东南亚设厂布局计划,全力支持国际大客户高端进阶,将深度受益高性能计算芯片未来广阔前景;华天科技全资子公司华天江苏拟投资28.58亿元,进行“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目的建设。项目建成投产后形成Bumping84万片、WLCSP48万片、超高密度扇出UHDFO2.6万片的晶圆级集成电路年封测能力。
风险提示:宏观经济变动冲击半导体供应链;人工智能发展不及预期;先进封装扩产不及预期;各厂商CoWoS等先进封装技术研发进程不及预期。